Sérgio Nuno Canteiro de Magalhães. É do Instituto Tecnológico e Nuclear. Publicou 25 artigos em revistas especializadas e 2 trabalhos em actas de eventos. Recebeu 1 prémio e/ou homenagem. Actua na área de Física Nas suas actividades profissionais interagiu com 108 colaboradores em co-autorias de trabalhos científicos.
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Nome completo Full name	Sérgio Nuno Canteiro de Magalhães
Nome em citações bibliográficas Quoting name	Magalhães, S
Domínio científico de atuação Scientific domain	Ciências Exactas-Física. Ciências Exactas-Ciências da Computação e da Informação.

Endereço profissional Professional address

Instituto Tecnológico e Nuclear Unidade de Física e Aceleradores Laboratório de Feixes de Iões Estrada Nacional 10 (ao Km 139,7), 2686-953 Sacavém - Portugal 2686--953 Loures Portugal Telefone: (+351)9946000Extensão: 6109 Correio electrónico: smagalhaes@ctn.ist.utl.pt Homepage: https://www.researchgate.net/profile/Sergio_Magalhaes

Sexo Gender

Masculino»Male

2009-2013	Doutoramento Phd
Programa Doutoral em Engenharia Física (4 anos » years) . Universidade de Aveiro, Portugal.

2006-2008	Mestrado Master degree
Ciência e Engenharia de Materiais (2 anos » years) . Universidade Técnica de Lisboa, Portugal.

2004	Licenciatura Licentiate degree
Engenharia Física (5 anos » years) . Universidade de Aveiro, Portugal.

Instituto Tecnológico e Nuclear

Ago/2014-Actual

Outra Situação

Universidade do Porto

Nov/2013-Jun/2014

Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear

Mai/2013-Ago/2013

Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear

Jan/2008-Dez/2010

Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear

Jun/2008-Mai/2010

Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear

Out/2006-Mai/2008

Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear

Out/2005-Set/2006

Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear

Jan/2005-Set/2005

Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear

Ago/2014-Actual	Unidade de Física e Aceleradores
Linhas de investigação»Research fields: X-ray diffraction simulation code

Compreende Understandig	Português (Bem), Inglês (Bem), Francês (Razoavelmente).
Fala Speaking	Português (Bem), Inglês (Bem), Francês (Pouco).
Lê Reading	Português (Bem), Inglês (Bem), Francês (Pouco).
Escreve Writing	Português (Bem), Inglês (Bem), Francês (Pouco).

2008

Analysis of the optical and structural properties of Eu doped GaN/AlN quantum dots and quantum wells, M. Peres, A. Neves, T. Monteiro, S. Magalhães, N. Franco, K. Lorenz, E. Alves, B. Damilano, J. Massies, A. Dussaigne and N. Grandjean (received an EMRS p, Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS), Strasbourg, France, Symposium G: .

Actual	CFNUL - Centro de Física da Universidade de Lisboa, Outros (especifique). Colaborador estudante.
Actual	I3N - Institute for Nanostructures, Nanomodelling and Nanofabrication, Outros (especifique). Estudante colaborador.

Artigos em revistas com arbitragem científica Papers in periodics with scientific refereeing

1.	Barradas, N.P.; Catarino, N.; Mateus, R.; Magalhães, S.; Alves, E.; Siketic, Z.; Radovic, I. B. 2015. "Determination of the 9Be(3He,pi)11B (i=0,1,2,3) cross section at 135° in the energy range 1–2.5MeV", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 346, 1: 21 - 25.

2.	Magalhães, S.; Watson, I M; Pereira, S; Franco, N.; Tan, L T; Martin, R W; O’Donnell, K P; Alves, E.; Araújo, J P; Monteiro, T.; Lorenz, K.. 2015. " Composition, structure and morphology of Al1- xI N thin films grown on Al1-yGayN templates with different GaN contents ", Journal of Physics D: Applied Physics 48, 1: 015103 - 015103.

3.	Fialho, M.; Lorenz, K.; Magalhães, S.; Rodrigues, J.; Santos, N.F.; Monteiro, T.; Alves, E.. 2013. "Lattice site location and luminescence studies of AlxGa1-xN alloys doped with thulium ions", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 36: 495 - 498.

4.	Nunes, B.; Magalhães, S.; Franco, N.; Alves, E.; Colaço, R.. 2013. "Microstructure and nanomechanical properties of Fe+ implanted silicon", Applied Surface Science 284, 1: 533 - 539.

5.	Peres, M.; Magalhães, S.; Soares, M. R; Soares, M. J; Rino, L.; Alves, E.; Lorenz, K.; Correia, M. R; Lourenço, A. C; Monteiro, T.. 2013. "Disorder induced violet/blue luminescence in rf-deposited ZnO films", physica status solidi (c) 10, 4: 662 - 666.

6.	Magalhães, S.; Barradas, N.P.; Alves, E.; Watson, I.M.; Lorenz, K.. 2012. "High precision determination of the InN content of Al1-xInxN thin films by Rutherford backscattering spectrometry", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 273, 1: 105 - 108.

7.	Fialho, M.; Magalhães, S.; Alves, L.C.; Marques, C.; Maalej, R.; Monteiro, T.; Lorenz, K.; Alves, E.. 2012. "AIN content influence on the properties of AlxGa1-xN doped with Pr ions", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 273, 1: 149 - 152.

8.	Magalhães, Sérgio N. C.. 2010. "Al1-xInxN/GaN bilayers: Structure, morphology, and optical properties", physica status solidi (b) 247, 7: 1740 - 1746.

9.	Das, A.; Magalha~es, S.; Kotsar, Y.; Kandaswamy, P. K; Gayral, B.; Lorenz, K.; Alves, E.; Ruterana, P.; Monroy, E.. 2010. "Indium kinetics during the plasma-assisted molecular beam epitaxy of semipolar (11-22) InGaN layers", Applied Physics Letters 96, 18: 181907 - 181907.

10.	Lorenz, K.; Magalhães, S.; Alves, E.; Peres, M.; Monteiro, T.; Neves, A.J.; Bockowski, M.. 2010. "High temperature annealing of Europium implanted AlN", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 268, 19: 2907 - 2910.

11.	Magalhães, S.; Lorenz, K.; Franco, N.; Barradas, N. P; Alves, E.; Monteiro, T.; Amstatt, B.; Fellmann, V.; Daudin, B.. 2010. "Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures", Surface and Interface Analysis 42, 10-11: 1552 - 1555.

12.	Magalha~es, S.; Peres, M.; Fellmann, V.; Daudin, B.; Neves, A. J; Alves, E.; Monteiro, T.; Lorenz, K.. 2010. "Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation", Journal of Applied Physics 108, 8: 084306 - 084306.

13.	Peres, M.; Neves, A. J; Monteiro, T.; Magalhães, S.; Franco, N.; Lorenz, K.; Alves, E.; Damilano, B.; Massies, J.; Dussaigne, A.; Grandjean, N.. 2010. "Optical and Structural Properties of an Eu Implanted Gallium Nitride Quantum Dots/Aluminium Nitride Superlattice", Journal of Nanoscience and Nanotechnology 10, 4: 2473 - 2478.

14.	Peres, M.; Magalhães, S.; Franco, N.; Soares, M.J.; Neves, A.J.; Alves, E.; Lorenz, K.; Monteiro, T.. 2009. "Influence of the AlN molar fraction on the structural and optical properties of praseodymium-doped AlxGa1-xN (0 x 1) alloys", Microelectronics Journal 40, 2: 377 - 380.

15.	Casaca, A; Borges, R P; Ferreira, P; Saraiva, A; Rosa, M A; Silva, R C.; Nunes, W C; Magalhães, S.; Godinho, M. 2009. "Strain and interface effects on the magnetic and transport properties of La0.7Ca0.3MnO3/CaO multilayers ", Journal of Physics: Conference Series 153, 1: 012045 - 012045.

16.	Borges, R.P.; Ferreira, P; Saraiva, A; Gonçalves, R.; Rosa, M.A.; Gonçalves, A.P.; da Silva, R; Magalhães, S.; Lourenço, M.J.V.; Santos, F.J.V.; Godinho, M. 2009. "Pulsed injection metal organic chemical vapour deposition and characterisation of thin CaO films", Physica B: Condensed Matter 404, 8-11: 1398 - 1403.

17.	Alves, E.; Magalhães, S.; Barradas, N.P.; Baidus, N.V.; Vasilevskiy, M.I.; Zvonkov, B.N.. 2008. "Ion beam studies of InAs/GaAs self assembled quantum dots", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 266, 8: 1439 - 1442.

18.	Leitão, J.P.; Santos, N.M.; Sobolev, N.A.; Correia, M.R.; Stepina, N.P.; Carmo, M.C.; Magalhães, S.; Alves, E.; Novikov, A.V.; Shaleev, M.V.; Lobanov, D.N.; Krasilnik, Z.F.. 2008. "Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers", Materials Science and Engineering: B 147, 2-3: 191 - 194.

19.	Leitão, J.P.; Sobolev, N.A.; Correia, M.R.; Carmo, M.C.; Stepina, N.; Yakimov, A.; Nikiforov, A.; Magalhães, S.; Alves, E.. 2008. "Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures", Thin Solid Films 517, 1: 303 - 305.

20.	Magalhães, S.; Lorenz, K.; Peres, M.; Monteiro, T.; Tripathy, S.; Alves, E.. 2007. "Implantation of nanoporous GaN with Eu ions", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 257, 1-2: 328 - 331.

21.	Magalhães, S.; Fonseca, A.; Franco, N.; Barradas, N.P.; Sobolev, N.; Hey, R.; Grahn, H.; Alves, E.. 2006. "Damage behaviour of GaAs/AlAs multilayer structures", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 249, 1-2: 890 - 893.

Trabalhos completos/resumidos em eventos com arbitragem científica Papers in conference proceedings with scientific refereeing

1.	Lorenz, K.; Peres, M.; Franco, N.; Marques, J. G; Miranda, S. M. C; Magalhães, S.; Monteiro, T.; Wesch, W.; Alves, E.; Wendler, E.; Teherani, Ferechteh H; Look, David C; Rogers, David J. 2011. "Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO</title>", Trabalho apresentado em SPIE OPTO, In Oxide-based Materials and Devices II, San Francisco, California.

Artigos em revistas sem arbitragem científica Papers in periodics without scientific refereeing

1.	Peres, Marco; Magalhães, Sérgio; Fellmann, Vincent; Daudin, Bruno; Neves, Armando; Alves, Eduardo; Lorenz, Katharina; Monteiro, Teresa. 2011. "Effect of Eu-implantation and annealing on the GaN quantum dots excitonic recombination", Nanoscale Research Letters 6, 1: 378 - 378.

2.	Peres, M.; Magalhães, S.; Rodrigues, J.; Soares, M.J.; Fellmann, V.; Neves, A.J.; Alves, E.; Daudin, B.; Lorenz, K.; Monteiro, T.. 2011. "The role of the annealing temperature on the optical and structural properties of Eu doped GaN/AlN QD", Optical Materials 33, 7: 1045 - 1049.

3.	Peres, M.; Neves, A. J; Monteiro, T.; Magalhães, S.; Alves, E.; Lorenz, K.; Okuno-Vila, H.; Fellmann, V.; Bougerol, C.; Daudin, B.. 2010. "Influence of thermal annealing on the structural and optical properties of GaN/AlN quantum dots", physica status solidi (b) 247, 7: 1675 - 1678.

4.	Borges, R P; da Silva, R. C; Magalhães, S.; Cruz, M M; Godinho, M. 2007. "Magnetism in Ar-implanted ZnO", Journal of Physics: Condensed Matter 19, 47: 476207 - 476207.

Trabalhos completos/resumidos em eventos sem arbitragem científica Papers in conference proceedings without scientific refereeing

1.	Fialho, M.; Lorenz, K.; Magalha~es, S.; Redondo-Cubero, A.; Rodrigues, J.; Santos, N. F; Monteiro, T.; Alves, E.. 2012. "Optical doping of Al[sub x]Ga[sub 1-x]N compounds by ion implantation of Tm ions", Trabalho apresentado em ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2012: Proceedings of the 19th International Conference on Ion Implantation Technology, In ION IMPLANTATION TECHNOLOG, Valladolid, Spain.

Participação em eventos Event participation

Participação em eventos Event participation

Outro tipo de participação Other kind of participation

1.	9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, Glasgow, U.K., July 10 – 15, 2011 , 2011 (Congresso).

Produção científica Scientific production

Total

Produção científica Scientific production

27

Artigos científicos em revistas Papers in periodics

25

Com arbitragem científica With scientific refereeing

21

Sem arbitragem científica Without scientific refereeing

4

Trabalhos em eventos Papers in conference proceedings

2

Com arbitragem científica With scientific refereeing

1

Sem arbitragem científica Without scientific refereeing

1

	António Cândido Lampreia Pereira Gonçalves
	Eduardo Jorge da Costa Alves
	Fernando José Vieira dos Santos
	Joana Catarina Ferreira Rodrigues
	Maria Alexandra Lopes da Fonseca
	Rui Manuel Coelho da Silva
	Teresa Maria Fernandes Rodrigues Cabral Monteiro