Curriculum Vitae

Sérgio Nuno Canteiro de Magalhães

Data da última atualização »Last update : 17/03/2015


Sérgio Nuno Canteiro de Magalhães. É do Instituto Tecnológico e Nuclear. Publicou 25 artigos em revistas especializadas e 2 trabalhos em actas de eventos. Recebeu 1 prémio e/ou homenagem. Actua na área de Física Nas suas actividades profissionais interagiu com 108 colaboradores em co-autorias de trabalhos científicos.


Endereço de acesso a este CV:

http://www.degois.pt/visualizador/curriculum.jsp?key=0254075519941181


Dados pessoais (Personal data)
Nome completo
Full name
Sérgio Nuno Canteiro de Magalhães
Nome em citações bibliográficas
Quoting name
Magalhães, S
Domínio científico de atuação
Scientific domain
Ciências Exactas-Física.
Ciências Exactas-Ciências da Computação e da Informação.
Endereço profissional
Professional address
Instituto Tecnológico e Nuclear
Unidade de Física e Aceleradores
Laboratório de Feixes de Iões
Estrada Nacional 10 (ao Km 139,7), 2686-953 Sacavém - Portugal
2686--953 Loures
Portugal
Telefone: (+351)9946000Extensão: 6109
Correio electrónico: smagalhaes@ctn.ist.utl.pt
Homepage: https://www.researchgate.net/profile/Sergio_Magalhaes
Sexo
Gender
Masculino»Male




Graus Académicos (Academic Degrees)
2009-2013 Doutoramento
Phd
Programa Doutoral em Engenharia Física (4 anos » years) .
Universidade de Aveiro, Portugal.

2006-2008 Mestrado
Master degree
Ciência e Engenharia de Materiais (2 anos » years) .
Universidade Técnica de Lisboa, Portugal.

2004 Licenciatura
Licentiate degree
Engenharia Física (5 anos » years) .
Universidade de Aveiro, Portugal.





Vínculos profissionais (Professional Positions)
Instituto Tecnológico e Nuclear
Ago/2014-Actual Outra Situação

Universidade do Porto
Nov/2013-Jun/2014 Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear
Mai/2013-Ago/2013 Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear
Jan/2008-Dez/2010 Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear
Jun/2008-Mai/2010 Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear
Out/2006-Mai/2008 Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear
Out/2005-Set/2006 Outra Situação

Instituto Tecnológico e Nuclear
Jan/2005-Set/2005 Outra Situação





Atividades de Investigação e Desenvolvimento (Research and Development activities)
Instituto Tecnológico e Nuclear
Ago/2014-Actual Unidade de Física e Aceleradores
Linhas de investigação»Research fields:


X-ray diffraction simulation code






Linhas de Investigação (Research fields)
1. X-ray diffraction simulation code
Objectivos»Goals: Development of software code in order to simulate and fit the X-ray diffraction patterns of generic semiconductors. Simulate and fit radial and rocking scans. Introduce in the code the effect of ion implantation on the diffraction pattern. Extend the code to include point and extended defects such as impurities and threading dislocations, respectively..




Línguas (Languages)
Compreende
Understandig
Português (Bem), Inglês (Bem), Francês (Razoavelmente).
Fala
Speaking
Português (Bem), Inglês (Bem), Francês (Pouco).

Reading
Português (Bem), Inglês (Bem), Francês (Pouco).
Escreve
Writing
Português (Bem), Inglês (Bem), Francês (Pouco).




Prémios e títulos (Awards Prizes, and Honours)
2008 Analysis of the optical and structural properties of Eu doped GaN/AlN quantum dots and quantum wells, M. Peres, A. Neves, T. Monteiro, S. Magalhães, N. Franco, K. Lorenz, E. Alves, B. Damilano, J. Massies, A. Dussaigne and N. Grandjean (received an EMRS p, Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS), Strasbourg, France, Symposium G: .




Membro de Associações Profissionais/Científicas (Professional/Scientific Association membership)
Actual CFNUL - Centro de Física da Universidade de Lisboa, Outros (especifique).
Colaborador estudante.
Actual I3N - Institute for Nanostructures, Nanomodelling and Nanofabrication, Outros (especifique).
Estudante colaborador.




Produção científica, técnica e artística/cultural (Scientific, technical and artistical/cultural production)
Artigos em revistas com arbitragem científica
Papers in periodics with scientific refereeing
1. Barradas, N.P.; Catarino, N.; Mateus, R.; Magalhães, S.; Alves, E.; Siketic, Z.; Radovic, I. B. 2015. "Determination of the 9Be(3He,pi)11B (i=0,1,2,3) cross section at 135° in the energy range 1–2.5MeV", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 346, 1: 21 - 25.
2. Magalhães, S.; Watson, I M; Pereira, S; Franco, N.; Tan, L T; Martin, R W; O’Donnell, K P; Alves, E.; Araújo, J P; Monteiro, T.; Lorenz, K.. 2015. " Composition, structure and morphology of Al1- xI N thin films grown on Al1-yGayN templates with different GaN contents ", Journal of Physics D: Applied Physics 48, 1: 015103 - 015103.
3. Fialho, M.; Lorenz, K.; Magalhães, S.; Rodrigues, J.; Santos, N.F.; Monteiro, T.; Alves, E.. 2013. "Lattice site location and luminescence studies of AlxGa1-xN alloys doped with thulium ions", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 36: 495 - 498.
4. Nunes, B.; Magalhães, S.; Franco, N.; Alves, E.; Colaço, R.. 2013. "Microstructure and nanomechanical properties of Fe+ implanted silicon", Applied Surface Science 284, 1: 533 - 539.
5. Peres, M.; Magalhães, S.; Soares, M. R; Soares, M. J; Rino, L.; Alves, E.; Lorenz, K.; Correia, M. R; Lourenço, A. C; Monteiro, T.. 2013. "Disorder induced violet/blue luminescence in rf-deposited ZnO films", physica status solidi (c) 10, 4: 662 - 666.
6. Magalhães, S.; Barradas, N.P.; Alves, E.; Watson, I.M.; Lorenz, K.. 2012. "High precision determination of the InN content of Al1-xInxN thin films by Rutherford backscattering spectrometry", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 273, 1: 105 - 108.
7. Fialho, M.; Magalhães, S.; Alves, L.C.; Marques, C.; Maalej, R.; Monteiro, T.; Lorenz, K.; Alves, E.. 2012. "AIN content influence on the properties of AlxGa1-xN doped with Pr ions", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 273, 1: 149 - 152.
8. Magalhães, Sérgio N. C.. 2010. "Al1-xInxN/GaN bilayers: Structure, morphology, and optical properties", physica status solidi (b) 247, 7: 1740 - 1746.
9. Das, A.; Magalha~es, S.; Kotsar, Y.; Kandaswamy, P. K; Gayral, B.; Lorenz, K.; Alves, E.; Ruterana, P.; Monroy, E.. 2010. "Indium kinetics during the plasma-assisted molecular beam epitaxy of semipolar (11-22) InGaN layers", Applied Physics Letters 96, 18: 181907 - 181907.
10. Lorenz, K.; Magalhães, S.; Alves, E.; Peres, M.; Monteiro, T.; Neves, A.J.; Bockowski, M.. 2010. "High temperature annealing of Europium implanted AlN", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 268, 19: 2907 - 2910.
11. Magalhães, S.; Lorenz, K.; Franco, N.; Barradas, N. P; Alves, E.; Monteiro, T.; Amstatt, B.; Fellmann, V.; Daudin, B.. 2010. "Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures", Surface and Interface Analysis 42, 10-11: 1552 - 1555.
12. Magalha~es, S.; Peres, M.; Fellmann, V.; Daudin, B.; Neves, A. J; Alves, E.; Monteiro, T.; Lorenz, K.. 2010. "Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation", Journal of Applied Physics 108, 8: 084306 - 084306.
13. Peres, M.; Neves, A. J; Monteiro, T.; Magalhães, S.; Franco, N.; Lorenz, K.; Alves, E.; Damilano, B.; Massies, J.; Dussaigne, A.; Grandjean, N.. 2010. "Optical and Structural Properties of an Eu Implanted Gallium Nitride Quantum Dots/Aluminium Nitride Superlattice", Journal of Nanoscience and Nanotechnology 10, 4: 2473 - 2478.
14. Peres, M.; Magalhães, S.; Franco, N.; Soares, M.J.; Neves, A.J.; Alves, E.; Lorenz, K.; Monteiro, T.. 2009. "Influence of the AlN molar fraction on the structural and optical properties of praseodymium-doped AlxGa1-xN (0 x 1) alloys", Microelectronics Journal 40, 2: 377 - 380.
15. Casaca, A; Borges, R P; Ferreira, P; Saraiva, A; Rosa, M A; Silva, R C.; Nunes, W C; Magalhães, S.; Godinho, M. 2009. "Strain and interface effects on the magnetic and transport properties of La0.7Ca0.3MnO3/CaO multilayers ", Journal of Physics: Conference Series 153, 1: 012045 - 012045.
16. Borges, R.P.; Ferreira, P; Saraiva, A; Gonçalves, R.; Rosa, M.A.; Gonçalves, A.P.; da Silva, R; Magalhães, S.; Lourenço, M.J.V.; Santos, F.J.V.; Godinho, M. 2009. "Pulsed injection metal organic chemical vapour deposition and characterisation of thin CaO films", Physica B: Condensed Matter 404, 8-11: 1398 - 1403.
17. Alves, E.; Magalhães, S.; Barradas, N.P.; Baidus, N.V.; Vasilevskiy, M.I.; Zvonkov, B.N.. 2008. "Ion beam studies of InAs/GaAs self assembled quantum dots", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 266, 8: 1439 - 1442.
18. Leitão, J.P.; Santos, N.M.; Sobolev, N.A.; Correia, M.R.; Stepina, N.P.; Carmo, M.C.; Magalhães, S.; Alves, E.; Novikov, A.V.; Shaleev, M.V.; Lobanov, D.N.; Krasilnik, Z.F.. 2008. "Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers", Materials Science and Engineering: B 147, 2-3: 191 - 194.
19. Leitão, J.P.; Sobolev, N.A.; Correia, M.R.; Carmo, M.C.; Stepina, N.; Yakimov, A.; Nikiforov, A.; Magalhães, S.; Alves, E.. 2008. "Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures", Thin Solid Films 517, 1: 303 - 305.
20. Magalhães, S.; Lorenz, K.; Peres, M.; Monteiro, T.; Tripathy, S.; Alves, E.. 2007. "Implantation of nanoporous GaN with Eu ions", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 257, 1-2: 328 - 331.
21. Magalhães, S.; Fonseca, A.; Franco, N.; Barradas, N.P.; Sobolev, N.; Hey, R.; Grahn, H.; Alves, E.. 2006. "Damage behaviour of GaAs/AlAs multilayer structures", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 249, 1-2: 890 - 893.

Trabalhos completos/resumidos em eventos com arbitragem científica
Papers in conference proceedings with scientific refereeing
1. Lorenz, K.; Peres, M.; Franco, N.; Marques, J. G; Miranda, S. M. C; Magalhães, S.; Monteiro, T.; Wesch, W.; Alves, E.; Wendler, E.; Teherani, Ferechteh H; Look, David C; Rogers, David J. 2011. "Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO</title>", Trabalho apresentado em SPIE OPTO, In Oxide-based Materials and Devices II, San Francisco, California.

Artigos em revistas sem arbitragem científica
Papers in periodics without scientific refereeing
1. Peres, Marco; Magalhães, Sérgio; Fellmann, Vincent; Daudin, Bruno; Neves, Armando; Alves, Eduardo; Lorenz, Katharina; Monteiro, Teresa. 2011. "Effect of Eu-implantation and annealing on the GaN quantum dots excitonic recombination", Nanoscale Research Letters 6, 1: 378 - 378.
2. Peres, M.; Magalhães, S.; Rodrigues, J.; Soares, M.J.; Fellmann, V.; Neves, A.J.; Alves, E.; Daudin, B.; Lorenz, K.; Monteiro, T.. 2011. "The role of the annealing temperature on the optical and structural properties of Eu doped GaN/AlN QD", Optical Materials 33, 7: 1045 - 1049.
3. Peres, M.; Neves, A. J; Monteiro, T.; Magalhães, S.; Alves, E.; Lorenz, K.; Okuno-Vila, H.; Fellmann, V.; Bougerol, C.; Daudin, B.. 2010. "Influence of thermal annealing on the structural and optical properties of GaN/AlN quantum dots", physica status solidi (b) 247, 7: 1675 - 1678.
4. Borges, R P; da Silva, R. C; Magalhães, S.; Cruz, M M; Godinho, M. 2007. "Magnetism in Ar-implanted ZnO", Journal of Physics: Condensed Matter 19, 47: 476207 - 476207.

Trabalhos completos/resumidos em eventos sem arbitragem científica
Papers in conference proceedings without scientific refereeing
1. Fialho, M.; Lorenz, K.; Magalha~es, S.; Redondo-Cubero, A.; Rodrigues, J.; Santos, N. F; Monteiro, T.; Alves, E.. 2012. "Optical doping of Al[sub x]Ga[sub 1-x]N compounds by ion implantation of Tm ions", Trabalho apresentado em ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2012: Proceedings of the 19th International Conference on Ion Implantation Technology, In ION IMPLANTATION TECHNOLOG, Valladolid, Spain.





Dados Complementares (Additional data)


Participação em eventos
Event participation
Outro tipo de participação
Other kind of participation
1. 9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, Glasgow, U.K., July 10 – 15, 2011 , 2011 (Congresso).








Indicadores de produção (Production indicators)

Total
Produção científica
Scientific production
27

Artigos científicos em revistas
Papers in periodics
25
Com arbitragem científica
With scientific refereeing
21
Sem arbitragem científica
Without scientific refereeing
4
Trabalhos em eventos
Papers in conference proceedings
2
Com arbitragem científica
With scientific refereeing
1
Sem arbitragem científica
Without scientific refereeing
1


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Página gerada pela Plataforma de Curricula DeGóis promovida pela FCT e pelo Gávea/DSI/UM em 29-10-2019 às 10:38:42
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