A Universidade Nova de Lisboa noticiou que uma equipa do Centro de Investigação de Materiais, da Faculdade de Ciências e Tecnologia, produziu – pela primeira vez – transístores com uma camada de papel.

O grupo de investigação – coordenado pelos Professores Elvira Fortunato e Rodrigo Martins – lembrou-se de fabricar FETs (field effect transístor) utilizando os dois lados de uma folha de papel. Numa das faces depositaram o material que opera como porta e na outra construíram a estrutura correspondente aos restantes terminais. Desta forma, o papel actua simultaneamente como isolante eléctrico e como suporte do próprio dispositivo.